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Publikationen

A BIST structure for the evaluation of the MOSFET gate dielectric interface state density in post-processed CMOS chips
Zitatschlüssel ESSCIRC_ pp. 412-415_2015
Autor N.Dodel, S.Keil, A. Wiemhöfer, M. Kortstock, P. Scholz, u. Kerst, and R. Thewes
Buchtitel Proc. European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC)
Seiten pp. 412-415
Jahr 2015
Notiz Paper ID 1235
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